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参数资料
| 型号： | S71PL032J80BAW074 |
| 厂商： | SPANSION LLC |
| 元件分类： | 存储器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56 |
| 封装： | 7 X 9 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-56 |
| 文件页数： | 32/188页 |
| 文件大小： | 5078K |
| 代理商： | S71PL032J80BAW074 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页当前第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页第165页第166页第167页第168页第169页第170页第171页第172页第173页第174页第175页第176页第177页第178页第179页第180页第181页第182页第183页第184页第185页第186页第187页第188页
128
pSRAM Type 7
pSRAM_Type07_13_A0 May 4, 2004
Prelimin ary
Absolute Maximum Ratings
WARNING: Semiconductor devices can be permanently damaged by application of stress (voltage, current, temperature,
etc.) in excess of absolute maximum ratings. Do not exceed these ratings.
Recommended Operating Conditions (See Warning Below)
Notes:
1. Maximum DC voltage on input and I/O pins are VDD+0.2V. During voltage transitions, inputs may positive overshoot to
VDD+1.0V for periods of up to 5 ns.
2. Minimum DC voltage on input or I/O pins are -0.3V. During voltage transitions, inputs may negative overshoot VSS to -1.0V
for periods of up to 5ns.
WARNING: Recommended operating conditions are normal operating ranges for the semiconductor device. All the de-
vice’s electrical characteristics are warranted when operated within these ranges.
Always use semiconductor devices within the recommended operating conditions. Operation outside these ranges may
adversely affect reliability and could result in device failure.
No warranty is made with respect to uses, operating conditions, or combinations not represented on the data sheet.
Users considering application outside the listed conditions are advised to contact their FUJITSU representative before-
hand.
Package Capacitance
Test conditions: TA = 25°C, f = 1.0 MHz
Item
Symbol
Value
Unit
Voltage of VDD Supply Relative to VSS
VDD
-0.5 to +3.6
V
Voltage at Any Pin Relative to VSS
VIN, VOUT
-0.5 to +3.6
V
Short Circuit Output Current
IOUT
±50
mA
Storage temperature
TSTG
-55 to +125
°C
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Supply Voltage
VDD
2.7
3.1
V
VSS
0
V
High Level Input Voltage (Note 1)
VIH
VDD 0.8
VDD+0.2
V
High Level Input Voltage (Note 1)
VIL
-0.3
VDD 0.2
V
Ambient Temperature
TA
-30
85
°C
Symbol
Description
Test Setup
Typ
Max
Unit
CIN1
Address Input Capacitance
VIN = 0V
—
5
pF
CIN2
Control Input Capacitance
VIN = 0V
—
5
pF
CIO
Data Input/Output Capacitance
VIO = 0V
—
8
pF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S71PL032JA0BAW074 | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56 |
| S71PL032JA0BFW0F4 | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56 |
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| S29AL016D70BAI022 | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA48 |
| S29AL016D70TAN013 | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| S71PL032J80BAW0Z0 | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Based MCPs |
| S71PL032J80BAW0Z2 | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Based MCPs |
| S71PL032J80BAW0Z3 | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Based MCPs |
| S71PL032J80BAW9Z0 | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Based MCPs |
| S71PL032J80BAW9Z2 | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Based MCPs |
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