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参数资料
| 型号： | SDIN2C2-2G |
| 厂商： | SanDisk |
| 文件页数： | 19/29页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC INAND FLASH 2GB 169FBGA |
| 标准包装： | 112 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | 闪存 - NAND |
| 存储容量： | 16G（2G x 8） |
| 速度： | 50MHz |
| 接口： | SD/SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 169-FBGA |
| 供应商设备封装： | 169-BGA（12x16） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 585-1229 |
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Chapter 3 – iNAND Interface Description
Revision 1.1
3.4.3
PRELIMINARY
Card Specific Data Register
SanDisk iNAND Product Manual
The Card Specific Data (CSD) Register configuration information is required to access
iNAND data. The CSD defines the data format, error correction type, maximum data
access time, etc. The field structures of the CSD Register vary depending on the physical
specifications and card capacity. The CSD_STRUCTURE field in the CSD Register
indicates which structure version is used. Table 3-5 shows the version number as it relates
to the CSD structure. Refer to Section 5.3.1 of the SDA Physical Layer Specification,
Version 2.00 for more information.
Table 3-5
CSD Register Structures
CSD_STRUCTURE
0
1
2-3
CSD Structure Version
CSD Version 1.0
CSD Version 2.0
Reserved
Valid for SD Memory Card Physical
Specification Version / Card Capacity
Version 1.01 to 1.10
Version 2.00 / Standard Capacity
Version 2.00 / High Capacity
---
Table 3-6 provides an overview of the CSD Register. More field-specific information can
be found in Section 5.3.2, Table 5-4 of the SDA Physical Layer Specification, Version 2.00 .
Table 3-6
CSD Register (CSD Version 1.0)
Field
CSD_ STRUCTURE
---
TAAC
NSAC
TRANS_ SPEED
CCC
READ_BL_ LEN
READ_BL_ PARTIAL
WRITE_BLK_ MISALIGN
READ_BLK_ MISALIGN
DSR_IMP
---
C_SIZE
VDD_R_ CURR_MIN
VDD_R_ CURR_MAX
? 2007 SanDisk Corporation
CSD Value
1.0
---
1.5 msec
0
Default 25MHz
High-speed 50MHz
All (inc. WP,
lock/unlock)
2G
Up to 1G
Yes
No
No
No
---
2 GB
1 GB
512 MB
According to card
performance
According to card
3-5
Description
CSD structure
Reserved
Data read access time-1
Data read access time-2 in CLK cycles
(NSAC*100)
Max. data transfer rate
Card command classes
Max. read data block length
Partial blocks for read allowed
Write block misalignment
Read block misalignment
DSR implemented
Reserved
Device size
Max. read current @VDD min.
Max. read current @VDD max.
02/09/07
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VE-BN1-CV-S | CONVERTER MOD DC/DC 12V 150W |
| LTC4241IGN#TR | IC CTRLR HOTSWAP 3.3V AUX 20SSOP |
| SDIN2C2-1G | IC INAND FLASH 1GB 169FBGA |
| DS1258Y-70IND# | IC NVSRAM 2MBIT 70NS 40DIP |
| VE-2WF-CW-S | CONVERTER MOD DC/DC 72V 100W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SDIN2C2-2G-T | 功能描述:IC INAND FLASH 2GB 169FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
| SDIN2C2-8G | 制造商:SanDisk Corporation 功能描述:8GB, 169FBGA 12X16, OEM |
| SDIN3C2-16G | 制造商:SanDisk Corporation 功能描述:SDIN3C2-16G,169TFBGA 12X16,MMC |
| SDIN3C2-2G | 制造商:SanDisk Corporation 功能描述:SDIN3C2-2G,169 BGA,12X16 MMC,O |
| SDIN4C1-8G | 制造商:SanDisk Corporation 功能描述:SDIN4C1-8G,169FBGA 12X16,OEM |
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