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参数资料
| 型号： | SDIN2C2-2G |
| 厂商： | SanDisk |
| 文件页数： | 25/29页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC INAND FLASH 2GB 169FBGA |
| 标准包装： | 112 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | 闪存 - NAND |
| 存储容量： | 16G（2G x 8） |
| 速度： | 50MHz |
| 接口： | SD/SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 169-FBGA |
| 供应商设备封装： | 169-BGA（12x16） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 585-1229 |
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Chapter 4 – iNAND Protocol Description
Revision 1.1
4.3.4
PRELIMINARY
Cyclic Redundancy Codes
SanDisk iNAND Product Manual
The Cyclic Redundancy Check (CRC) protects against transmission errors that may occur
on the iNAND bus. Detailed information and examples for CRC7 and CRC16 are provided
in Section 4.5 of the SDA Physical Layer Specification , Version 2.00 .
4.3.5
4.3.6
4.3.7
4.3.8
4.3.9
4.3.10
Error Conditions
See Section 4.6 of the SDA Physical Layer Specification , Version 2.00 .
Commands
See Section 4.7 of the SDA Physical Layer Specification , Version 2.00 for detailed
information about iNAND commands.
Card State Transition
The state transition is dependent on the received command. The transition is defined in
Section 4.8 of the SDA Physical Layer Specification , Version 2.00 along with responses
sent on the command line.
Timing Diagrams and Values
See Section 4.12 of the SDA Physical Layer Specification , Version 2.00 .
Speed Class Specification
The speed class specification classifies card performance by speed class number and offers
the method to calculate performance. For more information, refer to Section 4.13 of the
SDA Physical Layer Specification , Version 2.00 .
Erase Timeout Calculation
See Section 4.14 of the SDA Physical Layer Specification , Version 2.00 .
? 2007 SanDisk Corporation
4-2
02/09/07
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VE-BN1-CV-S | CONVERTER MOD DC/DC 12V 150W |
| LTC4241IGN#TR | IC CTRLR HOTSWAP 3.3V AUX 20SSOP |
| SDIN2C2-1G | IC INAND FLASH 1GB 169FBGA |
| DS1258Y-70IND# | IC NVSRAM 2MBIT 70NS 40DIP |
| VE-2WF-CW-S | CONVERTER MOD DC/DC 72V 100W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SDIN2C2-2G-T | 功能描述:IC INAND FLASH 2GB 169FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
| SDIN2C2-8G | 制造商:SanDisk Corporation 功能描述:8GB, 169FBGA 12X16, OEM |
| SDIN3C2-16G | 制造商:SanDisk Corporation 功能描述:SDIN3C2-16G,169TFBGA 12X16,MMC |
| SDIN3C2-2G | 制造商:SanDisk Corporation 功能描述:SDIN3C2-2G,169 BGA,12X16 MMC,O |
| SDIN4C1-8G | 制造商:SanDisk Corporation 功能描述:SDIN4C1-8G,169FBGA 12X16,OEM |
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