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参数资料
| 型号： | SDIN2C2-2G |
| 厂商： | SanDisk |
| 文件页数： | 21/29页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC INAND FLASH 2GB 169FBGA |
| 标准包装： | 112 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | 闪存 - NAND |
| 存储容量： | 16G（2G x 8） |
| 速度： | 50MHz |
| 接口： | SD/SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 169-FBGA |
| 供应商设备封装： | 169-BGA（12x16） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 585-1229 |
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Chapter 3 – iNAND Interface Description
Revision 1.1
PRELIMINARY
SanDisk iNAND Product Manual
Refer to Section 5.3.3, Table 5-16 of the SDA Physical Layer Specification, Version 2.00
for more detailed information.
Table 3-7
CSD Register (CSD Version 2.0)
Field
CSD_ STRUCTURE
---
TAAC
NSAC
TRANS_ SPEED
CCC
READ_BL_ LEN
READ_BL_ PARTIAL
WRITE_BLK_ MISALIGN
READ_BLK_ MISALIGN
DSR_IMP
---
C_SIZE
---
ERASE_BLK_EN
SECTOR_ SIZE
WP_GRP_ SIZE
WP_GRP_ ENABLE
Reserved
R2W_ FACTOR
WRITE_BL_ LEN
WRITE_BL PARTIAL
---
FILE_ FORMAT_ GRP
COPY
PERM_ WRITE_
PROTECT
TMP_WRITE_PROTECT
FILE_ FORMAT
Reserved
? 2007 SanDisk Corporation
CSD Value
2.0
---
1.5 ms
0
Default 25MHz
High-speed 50MHz
010110110101b
---
Yes
No
No
No
0
8 GB
4 GB
0
1
32 blocks
128 sectors
Yes
---
x16
---
No
---
0
Has been copied
Not protected
No protected
HD w/partition
---
3-7
Description
CSD structure
Reserved
Data read access time-1
Data read access time-2 in CLK cycles
(NSAC*100)
Max. data transfer rate
Card command classes
Max. read data block length
Partial blocks for read allowed
Write block misalignment
Read block misalignment
DSR implemented
Reserved
Device size
Reserved
Erase single block enable
Erase sector size
Write protect group size
Write protect group enable
Reserved for MMC compatibility
Write speed factor
Max. write data block length
Partial blocks for write allowed
Reserved
File format group
Copy flag (OTP)
Permanent write protection
Temporary write protection
File format
Reserved
02/09/07
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VE-BN1-CV-S | CONVERTER MOD DC/DC 12V 150W |
| LTC4241IGN#TR | IC CTRLR HOTSWAP 3.3V AUX 20SSOP |
| SDIN2C2-1G | IC INAND FLASH 1GB 169FBGA |
| DS1258Y-70IND# | IC NVSRAM 2MBIT 70NS 40DIP |
| VE-2WF-CW-S | CONVERTER MOD DC/DC 72V 100W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SDIN2C2-2G-T | 功能描述:IC INAND FLASH 2GB 169FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
| SDIN2C2-8G | 制造商:SanDisk Corporation 功能描述:8GB, 169FBGA 12X16, OEM |
| SDIN3C2-16G | 制造商:SanDisk Corporation 功能描述:SDIN3C2-16G,169TFBGA 12X16,MMC |
| SDIN3C2-2G | 制造商:SanDisk Corporation 功能描述:SDIN3C2-2G,169 BGA,12X16 MMC,O |
| SDIN4C1-8G | 制造商:SanDisk Corporation 功能描述:SDIN4C1-8G,169FBGA 12X16,OEM |
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