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参数资料
| 型号： | SDIN2C2-2G |
| 厂商： | SanDisk |
| 文件页数： | 26/29页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC INAND FLASH 2GB 169FBGA |
| 标准包装： | 112 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | 闪存 - NAND |
| 存储容量： | 16G（2G x 8） |
| 速度： | 50MHz |
| 接口： | SD/SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 169-FBGA |
| 供应商设备封装： | 169-BGA（12x16） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 585-1229 |
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Appendix A –Power Delivery/Capacitor Specifications
Revision 1.1
PRELIMINARY
SanDisk iNAND Product Manual
Appendix A
Power Delivery and Capacitor Specifications
A.1
SanDisk iNAND Power Domains
SanDisk iNAND has three power domains assigned to VDD_H, VDD_F, and FCAP as
shown in Table 1.
Table 1. Power Domains
Pin
VDD_H
VDD_F
FCAP
Power Domain
Host Interface
Memory
Internal
Comments
Supported voltage ranges:
High Voltage Region: 3.3V (nominal)
Low Voltage Region: 1.8V (nominal)
Supported voltage range:
High Voltage Region: 3.3V (nominal)
FCAP is the internal regulator connection to an
external decoupling capacitor.
A.2
A.2.1
Capacitor Connection Guidelines
FCAP Connections
The FCAP (C2) ball must only be connected to an external capacitor that is connected to
VSS. This signal may not be left floating. The capacitor ’s specifications and its placement
instructions are detailed below.
The capacitor is part of an internal voltage regulator that provides power to the controller.
Caution: Failure to follow the guidelines below or connecting the FCAP ball to any
external signal or power supply may cause the device to malfunction.
The trace requirements from the FCAP (C2) ball to the capacitor are as follows:
?
?
Resistance: <2 ohm
Inductance: <5 nH
The capacitor requirements are as follows:
?
?
?
Capacitance: >=2.2 uF
Voltage Rating: >=6.3 V
Dielectric: X7R or X5R
? 2007 SanDisk Corporation
A-1
02/09/07
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VE-BN1-CV-S | CONVERTER MOD DC/DC 12V 150W |
| LTC4241IGN#TR | IC CTRLR HOTSWAP 3.3V AUX 20SSOP |
| SDIN2C2-1G | IC INAND FLASH 1GB 169FBGA |
| DS1258Y-70IND# | IC NVSRAM 2MBIT 70NS 40DIP |
| VE-2WF-CW-S | CONVERTER MOD DC/DC 72V 100W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SDIN2C2-2G-T | 功能描述:IC INAND FLASH 2GB 169FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
| SDIN2C2-8G | 制造商:SanDisk Corporation 功能描述:8GB, 169FBGA 12X16, OEM |
| SDIN3C2-16G | 制造商:SanDisk Corporation 功能描述:SDIN3C2-16G,169TFBGA 12X16,MMC |
| SDIN3C2-2G | 制造商:SanDisk Corporation 功能描述:SDIN3C2-2G,169 BGA,12X16 MMC,O |
| SDIN4C1-8G | 制造商:SanDisk Corporation 功能描述:SDIN4C1-8G,169FBGA 12X16,OEM |
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