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参数资料
| 型号： | SDIN2C2-2G |
| 厂商： | SanDisk |
| 文件页数： | 23/29页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC INAND FLASH 2GB 169FBGA |
| 标准包装： | 112 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | 闪存 - NAND |
| 存储容量： | 16G（2G x 8） |
| 速度： | 50MHz |
| 接口： | SD/SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 169-FBGA |
| 供应商设备封装： | 169-BGA（12x16） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 585-1229 |
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Chapter 3 – iNAND Interface Description
Revision 1.1
Table 3-8
PRELIMINARY
User Area DOS Image Parameters
SanDisk iNAND Product Manual
Capacity*
Total
LBAs
Number of
Partition
Total Partition
Sectors
User Data
Sectors
User Data
Bytes
System Area
Sectors
8 GB
4 GB
2 GB
1 GB
512 MB
16,055,296
8,026,112
4,013,056
2,006,528
1,003,264
8192
8192
523
523
279
16,047,104
8,017,920
4,011,595
2,005,675
1,002,727
16,038,912
8,009,728
4,011,072
2,005,152
1,002,448
3,073,376,256
4,100,980,736
2,053,668,864
1,026,637,824
513,253,376
* 1 megabyte (MB) = 1 million bytes; 1 gigabyte (GB) = 1 billion bytes. Some of the listed capacity is used
for formatting and other functions, and thus is not available for data storage.
? 2007 SanDisk Corporation
3-9
02/09/07
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VE-BN1-CV-S | CONVERTER MOD DC/DC 12V 150W |
| LTC4241IGN#TR | IC CTRLR HOTSWAP 3.3V AUX 20SSOP |
| SDIN2C2-1G | IC INAND FLASH 1GB 169FBGA |
| DS1258Y-70IND# | IC NVSRAM 2MBIT 70NS 40DIP |
| VE-2WF-CW-S | CONVERTER MOD DC/DC 72V 100W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SDIN2C2-2G-T | 功能描述:IC INAND FLASH 2GB 169FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
| SDIN2C2-8G | 制造商:SanDisk Corporation 功能描述:8GB, 169FBGA 12X16, OEM |
| SDIN3C2-16G | 制造商:SanDisk Corporation 功能描述:SDIN3C2-16G,169TFBGA 12X16,MMC |
| SDIN3C2-2G | 制造商:SanDisk Corporation 功能描述:SDIN3C2-2G,169 BGA,12X16 MMC,O |
| SDIN4C1-8G | 制造商:SanDisk Corporation 功能描述:SDIN4C1-8G,169FBGA 12X16,OEM |
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