参数资料
型号: SI1563EDH-T1-GE3
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 13/14页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
标准包装: 3,000
系列: TrenchFET®
FET 型: N 和 P 沟道
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 1.13A,880mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 280 毫欧 @ 1.13A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 450mV @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 1nC @ 4.5V
功率 - 最大: 570mW
安装类型: *
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装: SC-70-6
包装: 带卷 (TR)
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR SC-70: 6-Lead
0.067
(1.702)
0.016
(0.406)
0.026
(0.648)
0.010
(0.241)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
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www.vishay.com
18
Document Number: 72602
Revision: 21-Jan-08
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PDF描述
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