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参数资料
| 型号： | SI1563EDH-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.13A，880mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 280 毫欧 @ 1.13A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 450mV @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 570mW |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si1563EDH
Vishay Siliconix
N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
5
V DS = 10 V
1.6
V GS = 4.5 V
4
3
2
1
0
I D = 1.2 8 A
1.4
1.2
1.0
0. 8
0.6
I D = 1.13 A
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
2
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Char g e
T J = 150 °C
0.6
0.5
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
1
0.4
I D = 1.13 A
0.3
0.1
T J = 25 °C
0.2
0.1
0.0
0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
0.2
V SD - S o u r c e - t o - D r a i n V o l t a g e ( V )
Source-Drain Diode Forward Volta g e
5
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Volta g e
0.1
I D = 100 μ A
4
0.0
3
- 0.1
2
- 0.2
- 0.3
- 0.4
1
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100
6 0 0
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Volta g e
Time (s)
Sin g le Pulse Power, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
For more information please contact: pmostechsupport@vishay.com
Document Number: 71416
S12-1258-Rev. E, 21-May-12
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
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PDF描述 |
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