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参数资料
| 型号： | SI1563EDH-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.13A，880mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 280 毫欧 @ 1.13A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 450mV @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 570mW |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si1563EDH
Vishay Siliconix
N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
10
10 000
1000
8
100
6
4
10
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.1
2
0.01
0
0.001
0
4
8
12
16
0
3
6
9
12
15
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Gate-Current vs. Gate-Source Volta g e
V GS = 5 V thr u 2 V
1.5 V
1 V
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Gate-Current vs. Gate-Source Volta g e
T C = - 55 °C
25 °C
125 °C
0
1
2
3
4
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.6
0.5
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
140
120
100
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.4
0.3
V GS = 1. 8 V
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
8 0
60
C iss
0.2
40
C oss
0.1
0.0
20
0
C rss
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0
4
8
12
16
20
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
Document Number: 71416
S12-1258-Rev. E, 21-May-12
For more information please contact: pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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