- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录508 > SI2306BDS-T1-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SI2306BDS-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3 |
| 产品目录绘图： | SC75(A), SC89-3, SOT-23, SOT-323 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 47 毫欧 @ 3.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.5nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 305pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 750mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1661 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI2306BDS-T1-GE3DKR |
Si2306BDS
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
0.10
0.08
25 °C, unless otherwise noted
400
350
300
C iss
0.06
0.04
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
250
200
150
0.02
100
C rss
C oss
50
0.00
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
5
10
15
20
25
30
10
8
6
4
2
0
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 15 V
I D = 3.5 A
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 10 V
I D = 3.5 A
0
1
2
3
4
5
6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.5
0.4
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 3.5 A
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.3
1
0.2
0.1
0.1
0.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 73234
S-80642-Rev. B, 24-Mar-08
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI2307BDS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3 |
| SI2307CDS-T1-E3 | MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3 |
| SI2308BDS-T1-E3 | MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 |
| SI2312BDS-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 |
| SI2315BDS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI2306DS | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述: |
| SI2306DS-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 3.5A 1.25 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI2306DS-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 3.5A 1.25 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI2306DS-T3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:30V, N-CHANNEL, 94mohm 4.5V RATED TR |
| SI2307 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。