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参数资料
| 型号： | SI2306BDS-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3 |
| 产品目录绘图： | SC75(A), SC89-3, SOT-23, SOT-323 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 47 毫欧 @ 3.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.5nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 305pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 750mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1661 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI2306BDS-T1-GE3DKR |
Si2306BDS
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.4
0.2
I D = 250 μA
10
8
0.0
6
T A = 25 °C
Single Pulse
- 0.2
4
- 0.4
- 0.6
2
- 0.8
- 50
- 25
0
25 50 75 100
125
150
0
0.01
0.1
1
10
100
600
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
Limited by R DS(on)*
I DM Limited
Time (s)
Single Pulse Power
10 μs
10
100 μs
1
1 ms
10 ms
0.1
T A = 25 °C
Single Pulse
100 ms
DC, 100 s, 10 s, 1 s
0.01
0.1
BV DSS Limited
1 10 100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
0.1
0.1
0.05
P DM
t 1
t 2
t 2
0.02
Single Pulse
t 1
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 130 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
0.01
10- 4
10- 3
10- 2
10- 1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see http://www.vishay.com/ppg?73234.
www.vishay.com
4
Document Number: 73234
S-80642-Rev. B, 24-Mar-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI2307BDS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI2306DS | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述: |
| SI2306DS-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 3.5A 1.25 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI2306DS-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 3.5A 1.25 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI2306DS-T3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:30V, N-CHANNEL, 94mohm 4.5V RATED TR |
| SI2307 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET |
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