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参数资料
| 型号： | SI4908DY-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 40V 5A 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 4.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 355pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 2.75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si4908DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
20
1.2
16
V GS = 10 V thr u 4 V
1.0
0. 8
12
8
3 V
0.6
0.4
T C = 125 C
4
0
0.2
0.0
25 C
- 55 C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0 8
0.07
V DS – Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
550
500
450
V GS – Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
400
C iss
0.06
V GS = 4.5 V
350
300
0.05
V GS = 10 V
250
200
150
0.04
100
C rss
C oss
50
0.03
0
0
4
8
12
16
20
0
8
16
24
32
40
I D – Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 5 A
2.1
V DS – Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 5 A
8
6
V DS = 10 V
V DS = 20 V
1. 8
1.5
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
V DS = 30 V
4
2
0
1.2
0.9
0.6
0.0
2.5
5.0
7.5
10.0
12.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g – Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 73698
S09-0540-Rev. B, 06-Apr-09
T J – J u nction Temperat u re ( C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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