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参数资料
| 型号： | SI4908DY-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 40V 5A 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 4.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 355pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 2.75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si4908DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
6
5
4
3
2
1
0
0
25
50
75
100
125
150
T C – Case Temperat u re (°C)
Current Derating*
3.5
1.25
3.0
1.00
2.5
2.0
1.5
0.75
0.50
1.0
0.25
0.5
0.0
0.00
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
T C – Case Temperat u re (°C)
Power Derating, Junction-to-Foot
T A – Am b ient Temperat u re (°C)
Power Derating, Junction-to-Ambient
* The power dissipation P D is based on T J(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
Document Number: 73698
S09-0540-Rev. B, 06-Apr-09
www.vishay.com
5
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PDF描述 |
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| SI4910DY | 制造商:VAISH 制造商全称:VAISH 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
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| SI4910DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 6.0A 3.1W 27mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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