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参数资料
| 型号： | SI4908DY-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 40V 5A 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 4.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 355pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 2.75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si4908DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
2
1
D u ty Cycle = 0.5
0.2
N otes:
0.1
0.1
0.05
P DM
t 1
t 1
0.01
0.02
Single P u lse
t 2
1. D u ty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 120 C/ W
3. T JM – T A = P DM Z thJA(t)
4. S u rface Mo u nted
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
1 0
100
6 0 0
Sq u are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
2
1
D u ty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single P u lse
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
1 0
Sq u are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?73698 .
www.vishay.com
6
Document Number: 73698
S09-0540-Rev. B, 06-Apr-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI4914BDY-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 8-SOIC |
| SI4914DY-T1-E3 | MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4909DY | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 40 V (D-S) MOSFET |
| SI4909DY-T1-GE3 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 40V 6.4A 8-Pin SOIC N T/R 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:DUAL P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:DUAL P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET - Cut TR (SOS) 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET PP CH W/D DIOD 40V 8ASO8 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET, PP CH, W/D DIOD, 40V, 8A,SO8 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET, PP CH, W/D DIOD, 40V, 8A,SO8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-8A; Drain Source Voltage Vds:-40V; On Resistance Rds(on):0.021ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Power Dissipation Pd:3.2W ;RoHS Compliant: Yes |
| SI4910DY | 制造商:VAISH 制造商全称:VAISH 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
| SI4910DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET DUAL N-CH 40V(D-S) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4910DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 6.0A 3.1W 27mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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