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参数资料
| 型号： | SI4908DY-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 40V 5A 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 4.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 355pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 2.75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si4908DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
20
10
0.25
0.20
I D = 5 A
1
T J = 150 C
0.15
0.1
0.01
T J = 25 C
0.10
0.05
0.00
T A = 25 C
T A = 125 C
0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.4
0.2
0.0
V SD – So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 5 mA
50
40
30
V GS – Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 0.2
20
- 0.4
- 0.6
- 0. 8
I D = 250 μ A
10
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
T J – Temperat u re ( C)
Threshold Voltage
100
10
1
Limited b y R DS(on) *
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
1 ms
10 ms
100 ms
0.1
T A = 25 C
Single P u lse
1s
10 s
DC
0.01
0.1
1
10
100
V DS – Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS
minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 73698
S09-0540-Rev. B, 06-Apr-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SI4910DY | 制造商:VAISH 制造商全称:VAISH 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
| SI4910DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET DUAL N-CH 40V(D-S) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4910DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 6.0A 3.1W 27mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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