参数资料
型号: SI4908DY-T1-GE3
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 9/10页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH DUAL 40V 5A 8-SOIC
标准包装: 2,500
系列: TrenchFET®
FET 型: 2 个 N 沟道(双)
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 60 毫欧 @ 4.1A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 355pF @ 20V
功率 - 最大: 2.75W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 带卷 (TR)
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR SO-8
0.172
(4.369)
0.028
(0.711)
0.022
(0.559)
0.050
(1.270)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
Return to Index
Return to Index
www.vishay.com
22
Document Number: 72606
Revision: 21-Jan-08
相关PDF资料
PDF描述
SI4914BDY-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 8-SOIC
SI4914DY-T1-E3 MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC
SI4916DY-T1-GE3 MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC
SI4920DY-T1-GE3 MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC
SI4932DY-T1-GE3 MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
相关代理商/技术参数
参数描述
SI4909DY 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 40 V (D-S) MOSFET
SI4909DY-T1-GE3 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 40V 6.4A 8-Pin SOIC N T/R 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:DUAL P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:DUAL P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET - Cut TR (SOS) 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET PP CH W/D DIOD 40V 8ASO8 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET, PP CH, W/D DIOD, 40V, 8A,SO8 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET, PP CH, W/D DIOD, 40V, 8A,SO8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-8A; Drain Source Voltage Vds:-40V; On Resistance Rds(on):0.021ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Power Dissipation Pd:3.2W ;RoHS Compliant: Yes
SI4910DY 制造商:VAISH 制造商全称:VAISH 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SI4910DY-T1-E3 功能描述:MOSFET DUAL N-CH 40V(D-S) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4910DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 40V 6.0A 3.1W 27mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube