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参数资料
| 型号： | SI7100DN-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 8V PPAK 1212-8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 8V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 35A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.5 毫欧 @ 15A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 105nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3810pF @ 4V |
| 功率 - 最大： | 52W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? 1212-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? 1212-8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si7100DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
60
50
V GS = 5 thr u 1.5 V
2.0
1.6
40
1.2
30
0. 8
20
T C = 125 °C
10
0.4
25 °C
0
1 V
0.0
- 55 °C
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.0040
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
5000
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
V GS = 2.5 V
4000
C iss
0.0036
3000
0.0032
0.002 8
0.0024
V GS = 4.5 V
2000
1000
0
C rss
C oss
0
10
20
30
40
50
60
0.0
1.6
3.2
4. 8
6.4
8 .0
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
8 .0
1.5
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
6.4
I D = 10 A
V DS = 3 V
1.3
I D = 15 A
V GS = 2.5 V
4. 8
3.2
V DS = 4 V
V DS = 5 V
1.1
V GS = 4.5 V
0.9
1.6
0.0
0.7
0
14
2 8
42
56
70
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
www.vishay.com
4
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 73785
S-80581-Rev. C, 17-Mar-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI7107DN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| SI7101DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET -30V 7.2mOhm@10V -35A P-Ch G-III RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 晶体管极性:P-Channel 汲极/源极击穿电压:- 30 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:- 35 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.0072 Ohms 配置:Dual Dual Drain 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerPak-1212-8 封装:Reel |
| SI7102DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
| SI7102DN-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 12V 35A 52W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7102DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 12V 35A 52W 3.8mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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