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参数资料
| 型号： | SI7100DN-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 8/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 8V PPAK 1212-8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 8V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 35A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.5 毫欧 @ 15A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 105nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3810pF @ 4V |
| 功率 - 最大： | 52W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? 1212-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? 1212-8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Package Information
Vishay Siliconix
PowerPAK ? 1212-8, (SINGLE/DUAL)
1
W
8
H
E2
E4
K
L
1
Z
2
2
3
4
5
4
θ
θ
L1
A1
E3
Backside View of Single Pad
H
K
E2
E4
L
H
2
E1
E
Notes:
1. Inch will govern
2 Dimensions exclusive of mold gate burrs
3. Dimensions exclusive of mold flash and cutting burrs
Detail Z
E3
D1
D2
1
2
3
4
Backside View of Dual Pad
MILLIMETERS
INCHES
DIM.
A
A1
b
c
D
D1
D2
D3
MIN.
0.97
0.00
0.23
0.23
3.20
2.95
1.98
0.48
NOM.
1.04
-
0.30
0.28
3.30
3.05
2.11
-
MAX.
1.12
0.05
0.41
0.33
3.40
3.15
2.24
0.89
MIN.
0.038
0.000
0.009
0.009
0.126
0.116
0.078
0.019
NOM.
0.041
-
0.012
0.011
0.130
0.120
0.083
-
MAX.
0.044
0.002
0.016
0.013
0.134
0.124
0.088
0.035
D4
D5
0.47 TYP.
2.3 TYP.
0.0185 TYP.
0.090 TYP.
E
E1
E2
E3
3.20
2.95
1.47
1.75
3.30
3.05
1.60
1.85
3.40
3.15
1.73
1.98
0.126
0.116
0.058
0.069
0.130
0.120
0.063
0.073
0.134
0.124
0.068
0.078
E4
e
K
0.34 TYP.
0.65 BSC
0.86 TYP.
0.013 TYP.
0.026 BSC
0.034 TYP.
K1
H
L
L1
θ
W
0.35
0.30
0.30
0.06
0°
0.15
-
0.41
0.43
0.13
-
0.25
-
0.51
0.56
0.20
12°
0.36
0.014
0.012
0.012
0.002
0°
0.006
-
0.016
0.017
0.005
-
0.010
-
0.020
0.022
0.008
12°
0.014
M
ECN: S10-0951-Rev. J, 03-May-10
DWG: 5882
Document Number: 71656
Revison: 03-May-10
0.125 TYP.
0.005 TYP.
www.vishay.com
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PDF描述 |
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| SI7102DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 12V 35A 52W 3.8mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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