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参数资料
| 型号： | SI7100DN-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 7/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 8V PPAK 1212-8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 8V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 35A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.5 毫欧 @ 15A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 105nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3810pF @ 4V |
| 功率 - 最大： | 52W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? 1212-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? 1212-8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si7100DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
1
D u ty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
N otes:
P DM
t 1
t 2
t 2
0.02
Single P u lse
t 1
1. D u ty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 65 °C/ W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. S u rface Mo u nted
0.01
10 - 4
10 - 3
10 - 2
10 - 1
1
1 0
100
1 0 0 0
S qu are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
1
D u ty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single P u lse
0.01
10 - 4
10 - 3
10 - 2
10 - 1
1
S qu are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see http://www.vishay.com/ppg?73785.
Document Number: 73785
S-80581-Rev. C, 17-Mar-08
www.vishay.com
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI7107DN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8 |
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参数描述 |
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| SI7101DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET -30V 7.2mOhm@10V -35A P-Ch G-III RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 晶体管极性:P-Channel 汲极/源极击穿电压:- 30 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:- 35 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.0072 Ohms 配置:Dual Dual Drain 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerPak-1212-8 封装:Reel |
| SI7102DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
| SI7102DN-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 12V 35A 52W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7102DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 12V 35A 52W 3.8mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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