参数资料
型号: SI7456DP-T1-GE3
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 5/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK 8SOIC
产品目录绘图: DP-T1-(G)E3 Series 8-SOIC
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 5.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 25 毫欧 @ 9.3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V
功率 - 最大: 1.9W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PowerPAK? SO-8
供应商设备封装: PowerPAK? SO-8
包装: 标准包装
产品目录页面: 1663 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: SI7456DP-T1-GE3DKR
Package Information
www.vishay.com
PowerPAK ? SO-8, (Single/Dual)
Vishay Siliconix
H
E2
K
L
1
2
3
4
W
L1
Z
D
E3
E4
1
2
3
4
θ
θ
A1
Backside View of Single Pad
H
E2
E4
K
L
2
E1
E
Detail Z
D1
1
2
3
D2
4
Notes
1. Inch will govern.
2 Dimensions exclusive of mold gate burrs.
3. Dimensions exclusive of mold flash and cutting burrs.
MILLIMETERS
E3
Backside View of Dual Pad
INCHES
DIM.
MIN.
NOM.
MAX.
MIN.
NOM.
MAX.
A 0.97
A1
b 0.33
c 0.23
D 5.05
D1 4.80
D2 3.56
D3 1.32
1.04
-
0.41
0.28
5.15
4.90
3.76
1.50
1.12
0.05
0.51
0.33
5.26
5.00
3.91
1.68
0.038
0
0.013
0.009
0.199
0.189
0.140
0.052
0.041
-
0.016
0.011
0.203
0.193
0.148
0.059
0.044
0.002
0.020
0.013
0.207
0.197
0.154
0.066
D4
D5
0.57 typ.
3.98 typ.
0.0225 typ.
0.157 typ.
E 6.05
E1 5.79
E2 (for AL product) 3.30
6.15
5.89
3.48
6.25
5.99
3.66
0.238
0.228
0.130
0.242
0.232
0.137
0.246
0.236
0.144
E2 (for other product)
3.48
3.66
3.84
0.137
0.144
0.151
E3 3.68
3.78
3.91
0.145
0.149
0.154
E4 (for AL product)
E4 (for other product)
e
K (for AL product)
K (for other product)
0.58 typ.
0.75 typ.
1.27 BSC
1.45 typ.
1.27 typ.
0.023 typ.
0.030 typ.
0.050 BSC
0.057 typ.
0.050 typ.
K1 0.56
H 0.51
L 0.51
L1 0.06
-
0.61
0.61
0.13
-
0.71
0.71
0.20
0.022
0.020
0.020
0.002
-
0.024
0.024
0.005
-
0.028
0.028
0.008
?
-
12°
-
12°
W 0.15
0.25
0.36
0.006
0.010
0.014
M
ECN: C13-0702-Rev. K, 20-May-13
DWG: 5881
Revison: 20-May-13
0.125 typ.
1
0.005 typ.
Document Number: 71655
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
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PDF描述
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参数描述
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SI7457DP-T1-E3 功能描述:MOSFET 100V 28A 83W 42mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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