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参数资料
| 型号： | SI7802DN-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8 |
| 产品目录绘图： | DN-T1-E3 Series 1212-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 435 毫欧 @ 1.95A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.6V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? 1212-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? 1212-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1660 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI7802DN-T1-GE3DKR |
Si7802DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.50
0.46
0.42
800
700
600
500
400
C iss
0.38
V GS = 6 V
300
0.34
V GS = 10 V
200
C oss
C rss
100
0.30
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
10
20
30
40
50
60
70
80
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
2.5
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
8
6
4
2
0
V DS = 125 V
I D = 1.95 A
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
V GS = 10 V
I D = 1.95 A
0
3
6
9
12
15
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
20
10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
1.0
0.8
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
T J = 25 °C
0.6
0.4
0.2
I D = 1.95 A
1
0.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 73133
S-83050-Rev. D, 29-Dec-08
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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