型号: | SI7802DN-T1-GE3 |
厂商: | Vishay Siliconix |
文件页数: | 7/12页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8 |
产品目录绘图: | DN-T1-E3 Series 1212-8 |
标准包装: | 1 |
FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 250V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 1.24A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 435 毫欧 @ 1.95A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 3.6V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 21nC @ 10V |
功率 - 最大: | 1.5W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | PowerPAK? 1212-8 |
供应商设备封装: | PowerPAK? 1212-8 |
包装: | 标准包装 |
产品目录页面: | 1660 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称: | SI7802DN-T1-GE3DKR |