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参数资料
| 型号： | SI7802DN-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8 |
| 产品目录绘图： | DN-T1-E3 Series 1212-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 435 毫欧 @ 1.95A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.6V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? 1212-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? 1212-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1660 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI7802DN-T1-GE3DKR |
Si7802DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.01
0.05
0.02
Single Pulse
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?73133 .
Document Number: 73133
S-83050-Rev. D, 29-Dec-08
www.vishay.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI7804DN | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N POWERPAK |
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| SI7804DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 10A 3.5W 18.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7805 | 制造商:SECOS 制造商全称:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:3-Terminal Positive Voltage Regulator |
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