- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录513 > SI7812DN-T1-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8 PPAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SI7812DN-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8 PPAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 37 毫欧 @ 7.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 840pF @ 35V |
| 功率 - 最大： | 52W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? 1212-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? 1212-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI7812DN-T1-GE3DKR |
Si7812DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
25
20
15
10
V GS = 10 thr u 4 V
10
8
6
4
T C = 125 °C
5
3 V
2
25 °C
- 55 °C
0
0
0.0
0.4
0. 8
1.2
1.6
2.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.040
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
1200
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.036
0.032
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
1000
8 00
C iss
600
0.02 8
400
0.024
0.020
200
0
C rss
C oss
0
5
10
15
20
25
0
15
30
45
60
75
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
2.0
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
I D = 7.2 A
V DS = 3 8 V
1. 8
1.6
I D = 7.2 A
V GS = 10 V
6
4
V DS = 53 V
1.4
1.2
V GS = 4.5 V
1.0
2
0. 8
0
0.6
0
4
8
12
16
20
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
www.vishay.com
4
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 73332
S-83050-Rev. D, 29-Dec-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI7842DP-T1-GE3 | MOSFET DL N-CH 30V PPAK 8-SOIC |
| SI7846DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 150V PPAK 8SOIC |
| SI7848BDP-T1-E3 | MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC |
| SI7868ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 8SOIC |
| SI7872DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI7815 | 制造商:SECOS 制造商全称:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:3-Terminal Positive Voltage Regulator |
| SI7818 | 制造商:SECOS 制造商全称:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:3-Terminal Positive Voltage Regulator |
| SI7818DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
| SI7818DN-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 150V 3.4A 3.8W 135mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7818DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 150V 3.4A 3.8W 135mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。