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参数资料
| 型号： | SI7812DN-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 6/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8 PPAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 37 毫欧 @ 7.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 840pF @ 35V |
| 功率 - 最大： | 52W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? 1212-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? 1212-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI7812DN-T1-GE3DKR |
Si7812DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
35
30
60
50
25
40
20
30
15
10
5
0
Package Limited
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperat u re ( °C )
Current Derating*
100
10
T C - Case Temperat u re (°C)
Power, Junction-to-Case
1
T A
L
B V
I D
V DD
0 . 0 0 0 0 0 1
0.00001
0.0001
0 . 0 0 1
0 . 0 1
T A - Time In A v alanche (s)
Single Pulse Avalanche Capability
* The power dissipation P D is based on T J(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
www.vishay.com
6
Document Number: 73332
S-83050-Rev. D, 29-Dec-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI7842DP-T1-GE3 | MOSFET DL N-CH 30V PPAK 8-SOIC |
| SI7846DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 150V PPAK 8SOIC |
| SI7848BDP-T1-E3 | MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC |
| SI7868ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 8SOIC |
| SI7872DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI7815 | 制造商:SECOS 制造商全称:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:3-Terminal Positive Voltage Regulator |
| SI7818 | 制造商:SECOS 制造商全称:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:3-Terminal Positive Voltage Regulator |
| SI7818DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
| SI7818DN-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 150V 3.4A 3.8W 135mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7818DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 150V 3.4A 3.8W 135mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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