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参数资料
| 型号： | SI7868ADP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 8SOIC |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.25 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.6V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 150nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6110pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 83W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si7868ADP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
T J = 150 °C
0.010
0.008
10
0.006
1
0.004
T J = 125 °C
0.1
T J = 25 °C
0.002
T J = 25 °C
0.01
0.000
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
0.3
0.1
- 0.1
- 0.3
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 5 mA
200
160
120
80
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 0.5
- 0.7
I D = 250 μ A
40
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
10
Limited by
R DS(on) *
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
1 ms
10 ms
100 ms
1
1s
10 s
0.1
0.01
T A = 25 °C
Single Pulse
DC
0.01
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 73384
S-80438-Rev. B, 03-Mar-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI7872DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC |
| SI7898DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 150V 3A PPAK 8SOIC |
| SI7904BDN-T1-GE3 | MOSFET N-CH DL 20V PPAK 1212-8 |
| SI7905DN-T1-E3 | MOSFET DUAL P-CH D-S 40V 1212-8 |
| SI7913DN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI7868DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Si7868ADP vs. Si7868DP Specification Comparison |
| SI786CG | 功能描述:DC/DC 开关控制器 3.3V Power Sup Cont RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输入电压:6 V to 100 V 开关频率: 输出电压:1.215 V to 80 V 输出电流:3.5 A 输出端数量:1 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:CPAK |
| SI786CG-E3 | 功能描述:开关变换器、稳压器与控制器 Dual 3.3V Step-Down RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出电压:1.2 V to 10 V 输出电流:300 mA 输出功率: 输入电压:3 V to 17 V 开关频率:1 MHz 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:WSON-8 封装:Reel |
| SI786CG-T1 | 功能描述:开关变换器、稳压器与控制器 Dual 3.3V Step-Down RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出电压:1.2 V to 10 V 输出电流:300 mA 输出功率: 输入电压:3 V to 17 V 开关频率:1 MHz 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:WSON-8 封装:Reel |
| SI786CG-T1-E3 | 功能描述:开关变换器、稳压器与控制器 Dual 3.3V Step-Down RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出电压:1.2 V to 10 V 输出电流:300 mA 输出功率: 输入电压:3 V to 17 V 开关频率:1 MHz 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:WSON-8 封装:Reel |
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