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参数资料
| 型号： | SI7868ADP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 8SOIC |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.25 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.6V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 150nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6110pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 83W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR PowerPAK ? SO-8 Single
0.260
(6.61)
0.150
(3.81)
0.024
(0.61)
0.026
(0.66)
0.050
(1.27)
0.032
(0.82)
0.040
(1.02)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
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Document Number: 72599
Revision: 21-Jan-08
www.vishay.com
15
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI7872DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC |
| SI7898DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 150V 3A PPAK 8SOIC |
| SI7904BDN-T1-GE3 | MOSFET N-CH DL 20V PPAK 1212-8 |
| SI7905DN-T1-E3 | MOSFET DUAL P-CH D-S 40V 1212-8 |
| SI7913DN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI7868DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Si7868ADP vs. Si7868DP Specification Comparison |
| SI786CG | 功能描述:DC/DC 开关控制器 3.3V Power Sup Cont RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输入电压:6 V to 100 V 开关频率: 输出电压:1.215 V to 80 V 输出电流:3.5 A 输出端数量:1 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:CPAK |
| SI786CG-E3 | 功能描述:开关变换器、稳压器与控制器 Dual 3.3V Step-Down RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出电压:1.2 V to 10 V 输出电流:300 mA 输出功率: 输入电压:3 V to 17 V 开关频率:1 MHz 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:WSON-8 封装:Reel |
| SI786CG-T1 | 功能描述:开关变换器、稳压器与控制器 Dual 3.3V Step-Down RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出电压:1.2 V to 10 V 输出电流:300 mA 输出功率: 输入电压:3 V to 17 V 开关频率:1 MHz 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:WSON-8 封装:Reel |
| SI786CG-T1-E3 | 功能描述:开关变换器、稳压器与控制器 Dual 3.3V Step-Down RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出电压:1.2 V to 10 V 输出电流:300 mA 输出功率: 输入电压:3 V to 17 V 开关频率:1 MHz 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:WSON-8 封装:Reel |
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