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参数资料
| 型号： | SI7994DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | 8-SOIC Mosfet Package |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.6 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 80nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3500pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 3.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1664 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI7994DP-T1-GE3DKR |
New Product
Si7994DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
60
10
50
V GS = 10 thr u 4 V
8
40
6
T C = 125 °C
30
20
V GS = 3 V
4
T C = 25 °C
10
0
2
0
T C = - 55 °C
0.0
0.4
0. 8
1.2
1.6
2.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.007
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
5000
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.006
4000
C iss
V GS = 4.5 V
3000
0.005
V GS = 10 V
2000
0.004
1000
C oss
0.003
0
C rss
0
10
20
30
40
50
60
0
5
10
15
20
25
30
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 20 A
8
V DS = 15 V
1.6
1.4
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 20 A
V GS = 10 V
6
4
2
0
V DS = 24 V
1.2
1.0
0. 8
0.6
0
10
20
30
40
50
60
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Document Number: 69974
S-80895-Rev. B, 21-Apr-08
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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