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参数资料
| 型号： | SI7994DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | 8-SOIC Mosfet Package |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.6 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 80nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3500pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 3.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1664 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI7994DP-T1-GE3DKR |
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR PowerPAK ? SO-8 Dual
0.260
(6.61)
0.150
(3.81)
0.024
(0.61)
0.026
(0.66)
0.024
(0.61)
0.050
(1.27)
0.032
(0.82)
0.040
(1.02)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
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www.vishay.com
16
Document Number: 72600
Revision: 21-Jan-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI7997DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 8-SOIC |
| SI7998DP-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK 8SOIC |
| SI8405DB-T1-E3 | MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP |
| SI8417DB-T2-E1 | MOSFET P-CH 12V 14.5A 2X2 6MFP |
| SI8439DB-T1-E1 | MOSFET P-CH 8V D-S MICROFOOT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI7997DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
| SI7997DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET -30V 5.5mOhm@10V 60A P-Ch G-III RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7998DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI7998DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 25/30A 93/53mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI79XX | 制造商:SECOS 制造商全称:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:3-Terminal Negative Voltage Regulator |
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