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参数资料
| 型号： | SIHP30N60E-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 29A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 125 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2600pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 250W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
SiHP30N60E
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
Vishay Siliconix
80
70
TOP
15 V
14 V
13 V
80
60
12 V
11 V
60
T J = 25 °C
10 V
50
T J = 25 °C
9.0 V
8.0 V
40
7.0 V
6.0 V
40
T J = 150 °C
BOTTOM 5.0 V
30
20
10
0
5V
20
0
0
5
10
15
20
25
30
0
5
10
15
20
25
50
V D S - Drain-to- S ource Voltage (V)
Fig. 1 - Typical Output Characteristics, T C = 25 °C
3.0
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig. 3 - Typical Transfer Characteristics
40
TOP
15 V
14 V
13 V
12 V
2.5
2.0
I D = 15 A
V GS = 10 V
30
11 V
10 V
9.0 V
8.0 V
1.5
20
7.0 V
10
0
6.0 V
BOTTOM 5.0 V
T J = 150 °C
1.0
0.5
0.0
0
5
10
15
20
25
30
- 60 - 40 - 20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
V D S - Drain-to- S ource Voltage (V)
Fig. 2 - Typical Output Characteristics, T C = 150 °C
T J - Junction Temperature ( ° C)
Fig. 4 - Normalized On-Resistance vs. Temperature
S12-3103- Rev. E, 24-Dec-12
3
Document Number: 91456
For technical questions, contact: hvm@vishay.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| SIHP30N60E-GE3 | 功能描述:MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIHP30N60E-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N CH 600V 29A TO-220AB-3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET, N CH, 600V, 29A, TO-220AB-3 |
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