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参数资料
| 型号： | SIHP30N60E-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 29A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 125 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2600pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 250W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
SiHP30N60E
www.vishay.com
Vishay Siliconix
10 000
C i ss
1000
Operation in thi s area
1000
V GS = 0 V, f = 1 MHz
C i ss = C g s + C gd x C d s s horted
100
limited by R D S (on)
I DM Limited
C r ss = C gd
C o ss = C d s + C gd
100
C o ss
10
100 μ s
10
1
T C = 25 °C
1 m s
1
C r ss
0.1
T J = 150 °C
S ingle Pul s e
BVD SS Limited
10 m s
0
100
200
300
400
500
600
0.1
1 10
100
1000
V D S - Drain-to- S ource Voltage (V)
Fig. 5 - Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
24
30.0
V D S , Drain-to- S ource Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R D S (on) i s s pecified
Fig. 8 - Maximum Safe Operating Area
20
16
I D = 15 A
V D S = 300 V
V D S = 120 V
25.0
20.0
12
8
4
0
V D S = 480 V
15.0
10.0
5.0
0
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
Q g - Total G ate Charge (nC)
Fig. 6 - Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage
1000
725
T C - Temperature ( ° C)
Fig. 9 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature
100
T J = 150 ° C
700
675
10
650
1
625
0.1
T J = 25 °C
600
0.01
0.001
575
550
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
- 60 - 40 - 20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
V S D - S ource-to-Drain Voltage (V)
Fig. 7 - Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
T J - Temperature ( ° C)
Fig. 10 - Temperature vs. Drain-to-Source Voltage
S12-3103- Rev. E, 24-Dec-12
4
Document Number: 91456
For technical questions, contact: hvm@vishay.com
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参数描述 |
|---|---|
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| SIHP30N60E-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N CH 600V 29A TO-220AB-3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET, N CH, 600V, 29A, TO-220AB-3 |
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