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参数资料
| 型号： | SIZ700DT-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 10/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 1212-8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.6 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1300pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2.36W，2.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-PowerPair? |
| 供应商设备封装： | 6-PowerPair? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
SiZ700DT
Vishay Siliconix
CHANNEL-2 TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
60
45
30
Package Limited
15
0
0
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperat u re (°C)
Current Derating*
40
1.76
32
1.32
24
0. 88
16
0.44
8
0
0.00
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperat u re (°C)
Power, Junction-to-Case
T A - Am b ient Temperat u re (°C)
Power, Junction-to-Ambient
* The power dissipation P D is based on T J(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
www.vishay.com
10
Document Number: 69090
S11-2379-Rev. B, 28-Nov-11
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIZ710DT-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 20V POWERPAIR |
| SIZ720DT-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 20V POWERPAIR |
| SIZ902DT-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V DUAL D-S |
| SKY12322-86LF-EVB | BOARD EVALUATION FOR SKY12322-86 |
| SKY12323-303LF-EVB | BOARD EVALUATION FOR SKY1232-303 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIZ702DT | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFETs |
| SIZ702DT_12 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs |
| SIZ702DT-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 16 Amps 27 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIZ704DT | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFETs |
| SIZ704DT-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 12/16A 20/30W 24/13.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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