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参数资料
| 型号： | SIZ700DT-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 2/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 1212-8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.6 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1300pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2.36W，2.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-PowerPair? |
| 供应商设备封装： | 6-PowerPair? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
SiZ700DT
Vishay Siliconix
SPECIFICATIONS (T J = 25 °C, unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Static
Drain-Source Breakdown Voltage
V DS Temperature Coefficient
V GS(th) Temperature Coefficient
V DS
? V DS /T J
? V GS(th) /T J
V GS = 0 V, I D = 250 μA
V GS = 0 V, I D = 250 μA
I D = 250 μA
I D = 250 μA
I D = 250 μA
I D = 250 μA
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
20
20
21
21
- 5.8
- 5.8
V
mV/°C
Gate Threshold Voltage
Gate-Body Leakage
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 250 μA
V DS = V GS , I D = 250 μA
V DS = 0 V, V GS = ± 16 V
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
0.8
0.8
2.2
2.2
± 100
± 100
V
nA
V DS = 20 V, V GS = 0 V
Ch-1
1
Zero Gate Voltage Drain Current
I DSS
V DS = 20 V, V GS = 0 V
V DS = 20 V, V GS = 0 V, T J = 55 °C
Ch-2
Ch-1
1
10
μA
V DS = 20 V, V GS = 0 V, T J = 55 °C
Ch-2
10
On-State Drain Current b
I D(on)
V DS ?? 5 V, V GS = 10 V
V DS ?? 5 V, V GS = 10 V
V GS = 10 V, I D = 15 A
Ch-1
Ch-2
Ch-1
30
30
0.007
0.0086
A
Drain-Source On-State Resistance b
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 20 A
V GS = 4.5 V, I D = 10 A
Ch-2
Ch-1
0.0047 0.0058
0.0088 0.0108
?
V GS = 4.5 V, I D = 15 A
Ch-2
0.0054 0.0066
Forward Transconductance b
g fs
V DS = 10 V, I D = 15 A
V DS = 10 V, I D = 20 A
Ch-1
Ch-2
60
100
S
Dynamic a
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge
C iss
C oss
C rss
Q g
Channel-1
V DS = 10 V, V GS = 0 V, f = 1 MHz
Channel-2
V DS = 10 V, V GS = 0 V, f = 1 MHz
V DS = 10 V, V GS = 10 V, I D = 15 A
V DS = 10 V, V GS = 10 V, I D = 20 A
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
1300
3860
290
760
132
350
20
55
9.5
35
85
15
pF
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Q gs
Q gd
Channel-1
V DS = 10 V, V GS = 4.5 V, I D = 15 A
Channel-2
V DS = 10 V, V GS = 4.5 V, I D = 20 A
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
27
3.2
9.2
2.4
7.1
45
nC
Gate Resistance
R g
f = 1 MHz
Ch-1
Ch-2
0.3
0.2
1.3
1
2.6
2
?
Notes:
a. Guaranteed by design, not subject to production testing.
b. Pulse test; pulse width ? 300 μs, duty cycle ? 2 %.
www.vishay.com
2
Document Number: 69090
S11-2379-Rev. B, 28-Nov-11
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIZ702DT | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFETs |
| SIZ702DT_12 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs |
| SIZ702DT-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 16 Amps 27 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIZ704DT | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFETs |
| SIZ704DT-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 12/16A 20/30W 24/13.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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