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参数资料
| 型号： | SIZ700DT-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 8/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 1212-8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.6 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1300pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2.36W，2.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-PowerPair? |
| 供应商设备封装： | 6-PowerPair? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
SiZ700DT
Vishay Siliconix
CHANNEL-2 TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
60
1.2
V GS = 10 V thr u 3 V
1.0
45
0. 8
30
15
0.6
0.4
0.2
T C = 25 °C
T C = 125 °C
0
0.0
T C = - 55 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.010
0.00 8
0.006
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 4.5 V
5000
4000
3000
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.004
0.002
0.000
V GS = 10 V
2000
1000
0
C rss
C oss
0
15
30
45
60
0
5
10
15
20
10
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.6
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
I D = 20 A
1.4
I D = 20 A
V GS = 10 V
6
V DS = 5 V
V DS = 10 V
1.2
V GS = 4.5 V
V DS = 15 V
4
2
0
1.0
0. 8
0.6
0
11
22
33
44
55
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
www.vishay.com
8
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 69090
S11-2379-Rev. B, 28-Nov-11
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIZ702DT | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFETs |
| SIZ702DT_12 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs |
| SIZ702DT-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 16 Amps 27 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIZ704DT | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFETs |
| SIZ704DT-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 12/16A 20/30W 24/13.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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