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参数资料
| 型号： | SIZ700DT-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 13/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 1212-8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.6 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1300pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2.36W，2.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-PowerPair? |
| 供应商设备封装： | 6-PowerPair? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
PAD Pattern
Vishay Siliconix
RECOMMENDED PAD FOR PowerPAIR? 6 x 3.7
0.3520
( 8 .941)
0.0220
(0.559)
0.0190
0, 0.11
(0.4 8 3)
0.0170
(0.432)
0.1040
(2.642)
0, 0.03
0.0220
(0.559)
0.0170
(0.432)
- 0.05, - 0.11
0, - 0.11
0, 0
0, - 0.0645
0.03 8 0
(0.965)
0.4390
(11.151)
Document Number: 65278
Revision: 04-Aug-09
1
0.0500
(1.27)
Recommended PAD for Po w erPAIR 6 x 3.7
Dimensions in inches (mm)
Keep-o u t 0.3520 ( 8 .94) x 0.4390 (11.151)
www.vishay.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIZ702DT | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFETs |
| SIZ702DT_12 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs |
| SIZ702DT-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 16 Amps 27 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIZ704DT | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFETs |
| SIZ704DT-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 12/16A 20/30W 24/13.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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