- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4236 > SST26VF016-80-5I-QAE (Microchip Technology)IC FLASH SER 16M 80MHZ SQI 8WSON PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SST26VF016-80-5I-QAE |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 31/39页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH SER 16M 80MHZ SQI 8WSON |
| 标准包装： | 98 |
| 系列： | SST26 SQI® |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 16M（2M x 8） |
| 速度： | 80MHz |
| 接口： | Serial Quad I/O™（SQI™） |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-WSON |
| 包装： | 管件 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页当前第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页
Serial Quad I/O (SQI) Flash Memory
A Microchip Technology Company
SST26VF016 / SST26VF032
Data Sheet
Power-Up Specifications
All functionalities and DC specifications are specified for a V DD ramp rate of greater than 1V per 100
ms (0V to 2.7V in less than 270 ms). See Table 11 and Figure 25 for more information.
Table 11: Recommended System Power-up Timings
Symbol
T PU-READ1
Parameter
V DD Min to Read Operation
Minimum
100
Units
μs
T PU-WRITE
1
V DD Min to Write Operation
100
μs
T11.0 25017
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this
parameter.
V DD
V DD Max
Chip selection is not allowed.
Commands may not be accepted or properly
interpreted by the device.
V DD Min
T PU-READ
T PU-WRITE
Device fully accessible
Time
1359 F27.0
Figure 25: Power-up Timing Diagram
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
31
DS-25017A
04/11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST39LF200A-55-4C-B3KE-T | IC FLASH MPF 2MBIT 55NS 48TFBGA |
| XC6SLX150T-3FG676I | IC FPGA SPARTAN 6 676FGGBGA |
| XCV200E-7FG256I | IC FPGA 1.8V I-TEMP 256-FBGA |
| SST39SF020A-45-4C-WHE | IC FLASH MPF 2MBIT 45NS 32TSOP |
| SST39SF020A-70-4I-WHE | IC FLASH MPF 2MBIT 70NS 32TSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SST26VF016-80-5I-QAE-T | 功能描述:闪存 2.7 to 3.6V 16Mbit Serial Quad I/O Flsh RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST26VF016-80-5I-QE | 制造商:SST 制造商全称:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:Serial Quad I/O (SQI) Flash Memory |
| SST26VF016-80-5I-S2AE | 功能描述:闪存 16M 80MHz 2.7-3.6V Industrial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST26VF016-80-5I-S2AE-T | 功能描述:闪存 2.7 to 3.6V 16Mbit Serial Quad I/O Flsh RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST26VF016-80-5I-S2E | 制造商:SST 制造商全称:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:Serial Quad I/O (SQI) Flash Memory |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。