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参数资料
| 型号： | SST26VF016-80-5I-QAE |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 32/39页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH SER 16M 80MHZ SQI 8WSON |
| 标准包装： | 98 |
| 系列： | SST26 SQI® |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 16M（2M x 8） |
| 速度： | 80MHz |
| 接口： | Serial Quad I/O™（SQI™） |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-WSON |
| 包装： | 管件 |
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Serial Quad I/O (SQI) Flash Memory
A Microchip Technology Company
SST26VF016 / SST26VF032
Data Sheet
DC Characteristics
Table 12: DC Operating Characteristics (V DD = 2.7- 3.6V)
Limits
Symbol
I DDR
Parameter
Read Current
Min
Typ
12
Max
18
Units
mA
Test Conditions
V DD =V DD Min,
CE#=0.1 V DD /0.9 V DD @33 MHz,
SO=open
I DDW
Program and Erase Cur-
30
mA
CE#=V DD
rent
I SB1
Standby Current
8
15
μA
CE#=V DD , V IN =V DD or V SS
I LI
I LO
V IL
V IH
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Input Low Voltage
Input High Voltage
0.7
1
1
0.8
μA
μA
V
V
V IN =GND to V DD , V DD =V DD Max
V OUT =GND to V DD , V DD =V DD Max
V DD =V DD Min
V DD =V DD Max
V DD
V OL
V OH
Output Low Voltage
Output High Voltage
V DD -
0.2
V
V
I OL =100 μA, V DD =V DD Min
I OH =-100 μA, V DD =V DD Min
0.2
T12.0 25017
Table 13: Capacitance (TA = 25°C, f=1 Mhz, other pins open)
Parameter
C OUT1
Description
Output Pin Capacitance
Test Condition
V OUT = 0V
Maximum
12 pF
C IN
1
Input Capacitance
V IN = 0V
6 pF
T13.0 25017
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this
parameter.
Table 14: Reliability Characteristics
Symbol
Parameter
Minimum Specification
Units
Test Method
N END
T DR1
I LTH1
1
Endurance
Data Retention
Latch Up
100,000
100
100 + I DD
Cycles
Years
mA
JEDEC Standard A117
JEDEC Standard A103
JEDEC Standard 78
T14.0 25017
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this
parameter.
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
32
DS-25017A
04/11
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PDF描述 |
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参数描述 |
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