- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录299926 > SST26WF032-80-4I-QAE (SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC) 32M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SST26WF032-80-4I-QAE |
| 厂商： | SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 32M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 封装： | 6 X 5 MM, ROHS COMPLIANT, WSON-8 |
| 文件页数： | 24/36页 |
| 文件大小： | 1339K |
| 代理商： | SST26WF032-80-4I-QAE |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页当前第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页
2010 Silicon Storage Technology, Inc.
S71409-01-000
01/10
30
1.8V Serial Quad I/O (SQI) Flash Memory
SST26WF032
Advance Information
DC Characteristics
Table 12: DC Operating Characteristics (VDD = 1.65 - 1.95V)
Symbol
Parameter
Limits
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
IDDR
Read Current
12
18
mA
VDD=VDD Min,
CE#=0.1 VDD/0.9 VDD@80 MHz,
SO=open
IDDW
Program and Erase Current
30
mA
CE#=VDD
ISB1
Standby Current
8
25
A
CE#=VDD, VIN=VDD or VSS
ILI
Input Leakage Current
1
A
VIN=GND to VDD, VDD=VDD Max
ILO
Output Leakage Current
1
A
VOUT=GND to VDD, VDD=VDD Max
VIL
Input Low Voltage
0.3
V
VDD=VDD Min
VIH
Input High Voltage
0.7 VDD
VVDD=VDD Max
VOL
Output Low Voltage
0.2
V
IOL=100 A, VDD=VDD Min
VOH
Output High Voltage
VDD-0.2
V
IOH=-100 A, VDD=VDD Min
T12.0 1409
Table 13: Capacitance (TA = 25°C, f=1 Mhz, other pins open)
Parameter
Description
Test Condition
Maximum
COUT1
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this
parameter.
Output Pin Capacitance
VOUT = 0V
12 pF
CIN1
Input Capacitance
VIN = 0V
6 pF
T13.0 1409
Table 14: Reliability Characteristics
Symbol
Parameter
Minimum Specification
Units
Test Method
NEND1
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this
parameter.
Endurance
10,000
Cycles
JEDEC Standard A117
TDR1
Data Retention
100
Years
JEDEC Standard A103
ILTH1
Latch Up
100 + IDD
mA
JEDEC Standard 78
T14.0 1409
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST48CF048-C1 | 24M X 16 FLASH 3.3V PROM CARD, 100 ns, XMA50 |
| SST49LF008C-33-4C-NHE | 1M X 8 FLASH 3V PROM, 11 ns, PQCC32 |
| SSU-131MAT | SLIDE SWITCH, SP3T, LATCHED, 0.3A, 4VDC, SURFACE MOUNT-RIGHT ANGLE |
| SSU-121ART | SLIDE SWITCH, SPDT, LATCHED, 0.3A, 4VDC, SURFACE MOUNT-RIGHT ANGLE |
| SSW-102-22-F-D-VS | 4 CONTACT(S), FEMALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, SURFACE MOUNT, SOCKET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SST26WF032-80-4I-QAE-T | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:1.65 TO 1.95V 32MBIT SERIAL QUAD I/O FLASH - Tape and Reel |
| SST26WF032-80-4I-S2AE | 功能描述:闪存 1.65 to 1.95V 32Mbit Serial Quad I/O Flsh RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST26WF032-80-4I-S2AE-T | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:1.65 TO 1.95V 32MBIT SERIAL QUAD I/O FLASH - Tape and Reel |
| SST270 | 功能描述:JFET 45V 2mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| SST270-E3 | 功能描述:JFET 45V 2mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。