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参数资料
| 型号： | SST55LC100M-45-C-BWE |
| 元件分类： | 存储控制器/管理单元 |
| 英文描述： | IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA84 |
| 封装： | 9 X 9 MM, ROHS COMPLIANT, TFBGA-84 |
| 文件页数： | 57/75页 |
| 文件大小： | 1040K |
| 代理商： | SST55LC100M-45-C-BWE |
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60
Advance Information
CompactFlash Card Controller
SST55LC100M
2006 Silicon Storage Technology, Inc.
S71316-00-000
3/06
10.2.1 Attribute Memory Read Timing Specification
The Attribute Memory access time is defined as 100 ns. Detailed timing specifications are shown in Table 10-7.
FIGURE
10-2: Attribute Memory Read Timing Diagram
TABLE
10-7:Attribute Memory Read Timing
Speed Version
100 ns
Item
Symbol
IEEE Symbol
Min1
1. DOUT signifies data provided by the CompactFlash card to the system.
The CE# signal or both the OE# signal and the WE# signal must be de-asserted between consecutive cycle operations.
All AC specifications are guaranteed by design.
Units
Read Cycle Time
tc(R)
tAVAV
100
ns
Address Access Time
ta(A)
tAVQV
100
ns
Card Enable Access Time
ta(CE)
tELQV
100
ns
Output Enable Access Time
ta(OE)
tGLQV
50
ns
Output Disable Time from CE#
tdis(CE)
tEHQZ
50
ns
Output Disable Time from OE#
tdis(OE)
tGHQZ
50
ns
Address Setup Time
tsu(A)
tAVGL
10
ns
Output Enable Time from CE#
ten(CE)
tELQNZ
5
ns
Output Enable Time from OE#
ten(OE)
tGLQNZ
5
ns
Data Valid from Address Change
tv(A)
tAXQX
0
ns
T10-7.0 1316
1316 F03.0
An
tc(R)
ta(A)
ta(CE)
ta(OE)
DOUT
tdis(OE)
tdis(CE)
tv(A)
ten(CE)
ten(OE)
tsu(A)
REG#
CE#
OE#
DOUT
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST55LD017D-40-C-TQWE | FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PQFP100 |
| SST55LD017D-40-I-TQW | FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PQFP100 |
| SST55LD019A-45-C-TQPE | FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PQFP64 |
| SST55LD019C-45-I-BWE | FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA84 |
| SST55LD019B-45-C-TQW | FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PQFP100 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SST55LC100M-45-C-TQWE | 功能描述:总线收发器 Compact Flash 45MHz 3.3V Commercial RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 逻辑类型:CMOS 逻辑系列:74VCX 每芯片的通道数量:16 输入电平:CMOS 输出电平:CMOS 输出类型:3-State 高电平输出电流:- 24 mA 低电平输出电流:24 mA 传播延迟时间:6.2 ns 电源电压-最大:2.7 V, 3.6 V 电源电压-最小:1.65 V, 2.3 V 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TSSOP-48 封装:Reel |
| SST55LC100M-45-I-BWE | 制造商:SST 制造商全称:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:CompactFlash Card Controller |
| SST55LC100M-45-I-TQWE | 制造商:SST 制造商全称:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:CompactFlash Card Controller |
| SST55LC200-60-C-TQWE | 功能描述:闪存 Compact 闪存 60MHz 3.3V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST55LC200-60-I-TQWE | 功能描述:闪存 Compact 闪存 60MHz 3.3V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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