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参数资料
型号： ST10F269Z2Q6
厂商： STMICROELECTRONICS
元件分类： 微控制器/微处理器
英文描述： 16-BIT, FLASH, 40 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP144
封装： 28 X 28 MM, PLASTIC, QFP-144
文件页数： 103/184页
文件大小： 3276K
代理商： ST10F269Z2Q6
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页当前第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页第165页第166页第167页第168页第169页第170页第171页第172页第173页第174页第175页第176页第177页第178页第179页第180页第181页第182页第183页第184页
ST10F269
5 - INTERNAL FLASH MEMORY
25/184
Table 3 : Instructions
Notes 1. Address bit A14, A15 and above are don’t care for coded address inputs.
2. X = Don’t Care.
3. WA = Write Address: address of memory location to be programmed.
4. WD = Write Data: 16-bit data to be programmed
5. Optional, additional blocks addresses must be entered within a time-out delay (96 s) after last write entry, time-out status can be
verified through FSB.3 value. When full command is entered, read Data Polling or Toggle bit until Erase is completed or suspended.
6. Read Data Polling or Toggle bit until Erase completes.
7. WPR = Write protection register. To protect code, bit 15 of WPR must be ‘0’. To protect block N (N=0,1,...), bit N of WPR must be
‘0’. Bit that are already at ‘0’ in protection register must also be ‘0’ in WPR, else a writing error will occurs (it is not possible to write a
‘1’ in a bit already programmed at ‘0’).
Instruction
Mne
Cycle
1st
Cycle
2nd
Cycle
3rd Cycle
4th Cycle
5th
Cycle
6th
Cycle
7th
Cycle
Read/Reset
RD
1+
Addr.1
X 2
Read Memory Array until a new write cycle is initiated
Data
xxF0h
Read/Reset
RD
3+
Addr.1
x1554h
x2AA8h
xxxxxh
Read Memory Array until a new write
cycle is initiated
Data
xxA8h
xx54h
xxF0h
Program Word
PW
4
Addr.1
x1554h
x2AA8h
x1554h
WA 3
Read Data Polling or Tog-
gle bit until Program com-
pletes.
Data
xxA8h
xx54h
xxA0h
WD 4
Block Erase
BE
6
Addr.1
x1554h
x2AA8h
x1554h
x2AA8h
BA
BA’ 5
Data
xxA8h
xx54h
xx80h
xxA8h
xx54h
xx30h
Chip Erase
CE
6
Addr.1
x1554h
x2AA8h
x1554h
x2AA8h
x1554h
Note 6
Data
xxA8h
xx54h
xx80h
xxA8h
xx54h
xx10h
Erase Suspend
ES
1
Addr.1
X2
Read until Toggle stops, then read or program all data needed
from block(s) not being erased then Resume Erase.
Data
xxB0h
Erase Resume
ER
1
Addr.1
X2
Read Data Polling or Toggle bit until Erase completes or Erase is
suspended another time.
Data
xx30h
Set Block/Code
Protection
SP
4
Addr.1
x2A54h
x15A8h
x2A54h
Any odd
word
address 9
Data
xxA8h
xx54h
xxC0h
WPR 7
Read
Protection
Status
RP
4
Addr.1
x2A54h
x15A8h
x2A54h
Any odd
word
address 9
Read Protection Register
until a new write cycle is
initiated.
Data
xxA8h
xx54h
xx90h
Read PR
Block
Temporary
Unprotection
BTU
4
Addr.1
x2A54h
x15A8h
x2A54h
X2
Data
xxA8h
xx54h
xxC1h
xxF0h
Code
Temporary
Unprotection
CTU
1
Addr.1
MEM 8
Write cycles must be executed from Flash.
Data
FFFFh
Code
Temporary
Protection
CTP
1
Addr.1
MEM 8
Write cycles must be executed from Flash.
Data
FFFBh
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PDF描述
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