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参数资料
| 型号： | ST52E430B/D |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, UVPROM, 20 MHz, MICROCONTROLLER, CDIP32 |
| 封装： | WINDOWED, SHRINK, CERAMIC, DIP-32 |
| 文件页数： | 39/120页 |
| 文件大小： | 502K |
| 代理商： | ST52E430B/D |
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ST52T430/E430
3.1 EPROM Programming Phase Procedure
The Programming mode is selected by applying
12V±5% voltage or 5V±5% voltage to the VPP pin
and setting the control signal as following:
RESET (pin 1) =Vss
TEST (pin 4) =Vss
If the VPP voltage is 5V±5% it is possible only to
read.
RST_ADD(pin 16), INC_ADD (pin 20), RST_CONF
(pin 21), INC_CONF (pin 22) and PHASE (pin 5)
are the control signals used during the
Programming Mode.
PHASE, RST_CONF and RST_ADD signals are
active on level, the others are active on rising edge.
PHASE and RST_ADD signals are active low,
RST_CONF signal is active high.
Data in/out digital port is port A (from pin 24 up to
pin 31).
It is possible to lock the memory by means of the
Memory Lock Status, that is a flag used to enable
the EPROM operations.
If Memory Lock Status is 1 all EPROM operations
are enabled, otherwise, it is only possible to read
(and verify) the OTP code and the Memory Lock
Status.
Only If the EPROM is not locked by mean of Lock
Cell (see paragraph 3.1.2), it is possible to enable
MEMORY UNLOCK
MEMORY WRITING
LOCATION ADDRESS =1
DATA
IN
MEMORY VERIFY
MARGIN MODE
DATA
OUT
VALID
DATA
VALID
DATA
VALID
DATA
OUT
DATA
OUT
100nS
10mS
PA(0:7)
RST_ADD
RST_CONF
INC_ADD
INC_CONF
PHASE
Figure 3.2. EPROM Programming Timing
OPERATION
REGISTER VALUE
Stand By
0
Memory
Reading / Verify
1
Memory Unlock and Lock
Status Reading
2
Memory
Writing
3
Memory
Lock
4
ID CODE
Writing
5
Memory Lock Status
Reading / Verify
9
ID CODE
Reading / Verify
10
Table 3.1. EPROM Configuration Register
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PDF描述 |
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