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参数资料
| 型号： | ST72324K6B3/XXX |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, MROM, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PDIP32 |
| 封装： | 0.400 INCH, SHRINK, PLASTIC, DIP-32 |
| 文件页数： | 34/157页 |
| 文件大小： | 1037K |
| 代理商： | ST72324K6B3/XXX |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页当前第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页
ST72324J/K
129/157
12.7 EMC CHARACTERISTICS
Susceptibility tests are performed on a sample ba-
sis during product characterization.
12.7.1 Functional EMS
(Electro Magnetic Susceptibility)
Based on a simple running application on the
product (toggling 2 LEDs through I/O ports), the
product is stressed by two electro magnetic events
until a failure occurs (indicated by the LEDs).
s
ESD: Electro-Static Discharge (positive and
negative) is applied on all pins of the device until
a functional disturbance occurs. This test
conforms with the IEC 1000-4-2 standard.
s
FTB: A Burst of Fast Transient voltage (positive
and negative) is applied to VDD and VSS through
a 100pF capacitor, until a functional disturbance
occurs. This test conforms with the IEC 1000-4-
4 standard.
A device reset allows normal operations to be re-
sumed.
12.7.2 Electro Magnetic Interference (EMI)
Based on a simple application running on the product (toggling 2 LEDs through the I/O ports), the product
is monitored in terms of emission. This emission test is in line with the norm SAE J 1752/3 which specifies
the board and the loading of each pin.
Notes:
1. Data based on characterization results, not tested in production.
Symbol
Parameter
Condition s
Neg 1)
Pos 1)
Unit
VFESD
Voltage limits to be applied on any I/O pin
to induce a functional disturbance
VDD=5V, TA=+25°C, fOSC=8MHz
conforms to IEC 1000-4-2
-1
1
kV
VFFTB
Fast transient voltage burst limits to be ap-
plied through 100pF on VDD and VDD pins
to induce a functional disturbance
VDD=5V, TA=+25°C, fOSC=8MHz
conforms to IEC 1000-4-4
-1.5
1.5
Symbol
Parameter
Condi tions
Monitored
Frequency Band
Max vs. [fOSC/fCPU]
Unit
8/4MHz
16/8MHz
SEMI
Peak level
VDD=5V, TA=+25°C,
TQF P44 package
conforming to SAE J 1752/3
0.1MHz to 30MHz
13
dB
V
30MHz to 130MHz
19
24
130MHz to 1GHz
7
13
SAE EMI Level
3.5
-
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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