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参数资料
| 型号： | STP13N95K3 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 10 A, 950 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 15/15页 |
| 文件大小： | 650K |
| 代理商： | STP13N95K3 |
STF13N95K3, STP13N95K3, STW13N95K3
Test circuits
Doc ID 15685 Rev 2
9/15
3
Test circuits
Figure 19. Switching times test circuit for
resistive load
Figure 20. Gate charge test circuit
Figure 21. Test circuit for inductive load
switching and diode recovery times
Figure 22. Unclamped inductive load test
circuit
Figure 23. Unclamped inductive waveform
Figure 24. Switching time waveform
AM01468v1
VGS
PW
VD
RG
RL
D.U.T.
2200
F
3.3
F
VDD
AM01469v1
VDD
47k
1k
47k
2.7k
1k
12V
Vi=20V=VGMAX
2200
F
PW
IG=CONST
100
100nF
D.U.T.
VG
AM01470v1
A
D
D.U.T.
S
B
G
25
A
B
RG
G
FAST
DIODE
D
S
L=100
H
F
3.3
1000
F
VDD
AM01471v1
Vi
Pw
VD
ID
D.U.T.
L
2200
F
3.3
F
VDD
AM01472v1
V(BR)DSS
VDD
VD
IDM
ID
AM01473v1
VDS
ton
tdon
tdoff
toff
tf
tr
90%
10%
0
90%
10%
VGS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| STP13NK62Z | 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 13 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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