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参数资料
| 型号： | SUD50N04-37P-T4-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 40V TO252 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 37 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 640pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 10.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
SUD50N04-37P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
30
24
1 8
V GS = 10 thr u 5 V
4 V
5
4
3
T C = 25 °C
12
6
3 V
2
1
T C = 125 °C
0
0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
0.060
0.052
0.044
0.036
0.02 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
8 00
640
4 8 0
320
160
C oss
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.020
0
C rss
0
6
12
1 8
24
30
0
6
12
1 8
24
30
10
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
I D = 5 A
V DS = 10 V
1.6
I D = 5 A
V GS = 10 V
6
V DS = 20 V
1.4
V DS = 30 V
1.2
V GS = 4.5 V
4
1.0
2
0
0. 8
0.6
0.0
2.5
5.0
7.5
10.0
12.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 69732
S-80109-Rev. B, 21-Jan-08
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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参数描述 |
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