- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录526 > SUD50N04-37P-T4-E3 (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH D-S 40V TO252 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SUD50N04-37P-T4-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 40V TO252 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 37 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 640pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 10.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
SUD50N04-37P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
10
1
0.1
0.01
0.001
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.20
0.16
0.12
0.0 8
0.04
0
I D = 5 A
T A = 125 °C
T A = 25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
0.4
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
100
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.2
0.0
I D = 5 mA
I D = 250 μA
8 0
60
- 0.2
40
- 0.4
- 0.6
- 0. 8
20
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
8 0
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
Limited by r DS(on) *
10
100 μ s
60
40
20
1
0.1
T A = 25 °C
Single P u lse
1 ms
10 ms
100 ms
10 s
DC
0
0.01
0 . 0 0 01
0.001
0.01
0.1
1
0.01
0.1
1
10
100
www.vishay.com
4
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Case
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich r DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
Document Number: 69732
S-80109-Rev. B, 21-Jan-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUD50N04-8M8P-4GE3 | MOSFET N-CH 40V 50A TO-252 |
| SUD50N06-07L-E3 | MOSFET N-CH D-S 60V TO252 |
| SUD50N06-08H-E3 | MOSFET N-CH D-S 60V TO252 |
| SUD50N06-09L-E3 | MOSFET N-CH D-S 60V TO252 |
| SUD50N10-18P-GE3 | MOSFET N-CH 100V DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUD50N04-8M8P | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
| SUD50N04-8M8P_10 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
| SUD50N04-8m8P-4GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 50A 48.1W 8.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD50N04-8M8P-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 50A 48.1W 8.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD50N06 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V (D-S) 175 C MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。