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参数资料
| 型号： | TC59SM808BFTL-70 |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 36/49页 |
| 文件大小： | 2437K |
| 代理商： | TC59SM808BFTL-70 |
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TC59SM816/08/04BFT/BFTL-70,-75,-80
2001-06-11
41/49
Figure 15. Auto Precharge timing (Read cycle)
(1) CAS Latency
= 2
(a) Burst Length
= 1
Command
Read
DQ
AP
Act
Q0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
tRP
(b) Burst Length
= 2
Command
DQ
(c) Burst Length
= 4
Command
DQ
(d) Burst Length
= 8
Command
DQ
(2) CAS Latency
= 3
(a) Burst Length
= 1
Command
DQ
(b) Burst Length
= 2
Command
DQ
(c) Burst Length
= 4
Command
DQ
(d) Burst Length
= 8
Command
DQ
Read
AP
Act
Q0
Read
AP
Act
Q0
Read
Q0
Read
AP
Act
Q0
tRP
Read
AP
Act
Q0
tRP
Read
AP
Act
Q0
tRP
Read
AP
Act
tRP
Q0
Q1
Q2
Q3
AP
Act
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
Q1
Q2
Q3
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
Note)
represents the Read with Auto Precharge command.
represents the start of internal precharging.
represents the Bank Activate command.
When the Auto Precharge command is asserted, the period from the Bank Activate command to the start of internal
precharging must be at least tRAS (min).
Read
AP
Act
tRP
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