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参数资料
| 型号： | TPS51020EVM-001 |
| 厂商： | Texas Instruments |
| 文件页数： | 17/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | EVAL MODULE FOR TPS51020-001 |
| 标准包装： | 1 |
| 主要目的： | DC/DC，步降 |
| 输出及类型： | 2，非隔离 |
| 输出电压： | 3.3V，5V |
| 电流 - 输出： | 6A，6A |
| 输入电压： | 8 ~ 20 V |
| 稳压器拓扑结构： | 降压 |
| 频率 - 开关： | 300kHz |
| 板类型： | 完全填充 |
| 已供物品： | 板 |
| 已用 IC / 零件： | TPS51020 |
| 产品目录页面： | 1028 (CN2011-ZH PDF) |
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| 其它名称： | 296-18958 |
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TPS51020
SLUS564C ? JULY 2003 ? REVISED OCTOBER 2008
APPLICATION INFORMATION
D The output voltage sensing trace and the feedback components should be as short as possible and be
isolated from the power components and traces.
D The low pass filter for VIN should be placed close to the TPS51020 and be referenced to signal GND.
D The bootstrap capacitor C BST (connected from VBST to LL) should be placed close to the TPS51020.
D VREG5 requires at least 4.7- μ F bypass capacitor which should be placed close to the TPS51020 and be
referenced to signal GND.
D The discharge (VO1_VDDQ, VO2) should better have a dedicated trace to the output capacitor. In case of
limiting the discharge current, series resistors should be added.
D Ideally, all of the area directly under the TPS51020 chip should also be signal GND.
TPS51020
1 INV1
VBST1 30
Cin1
H_FET1
2 COMP1
OUT1_U 29
C BST1
L01
Rtrip1 Ctrip1
CH1 Output Voltage (+)
+
3 SSTRT1
LL1 28
L_FET1
4 SKIP
OUT1_D 27
Co1
CH1 Output Voltage (GND)
5 VO1_VDDQ
6 DDR
OUTGND1 26
TRIP1 25
Rvin
?
Input Voltage (+)
Signal GND
7 GND
8 REF_X
9 ENBL1
VIN 24
TRIP2 23
VREG5 22
Cvinbp
Cin
Power GND
+
Input Voltage (GND)
?
Cvreg5
10 ENBL2
REG5_IN 21
CH2 Output Voltage (GND)
11 VO2
12 PGOOD
OUTGND2 20
OUT2_D 19
L_FET2
?
13 SSTRT2
LL2 18
Co2
CH2 Output Voltage (+)
+
14 COMP2
OUT2_U 17
L02
15 INV2
VBST2 16
C BST2
Cin2
H_FET2
Rtrips Ctrip2
Figure 4. PCB Trace Guideline
www.ti.com
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