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参数资料
| 型号： | UNR521DR |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SMINI3-G1, SC-70, 3 PIN |
| 文件页数： | 11/17页 |
| 文件大小： | 552K |
| 代理商： | UNR521DR |
UNR521x Series
3
SJH00024CED
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Resistance UNR521M
R1/R2
0.047
ratio
UNR521N
0.1
UNR5218/5219
0.08
0.10
0.12
UNR521Z
0.21
UNR5214
0.17
0.21
0.25
UNR521T
0.47
UNR521F
0.37
0.47
0.57
UNR521V
1.0
UNR5211/5212/5213/521L
0.8
1.0
1.2
UNR521K
1.70
2.13
2.60
UNR521E
1.70
2.14
2.60
UNR521D
3.7
4.7
5.7
■ Electrical Characteristics (continued) T
a
= 25°C ± 3°C
Characteristics charts of UNR5210
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
Common characteristics chart
PT Ta
012
210
48
6
0
60
50
40
30
20
10
Collector
current
I
C
(mA
)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
Ta
= 25°C
IB
= 1.0 mA
0.1 mA
0.3 mA
0.4 mA
0.5 mA
0.6 mA
0.7 mA
0.8 mA
0.9 mA
102
101
1
10
102
110
102
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (mA)
IC / IB
= 10
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
0
1
100
200
300
400
10
102
103
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (mA)
VCE
= 10 V
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
0
160
40
120
80
240
200
160
120
80
40
Ambient temperature T
a (°C)
Total
power
dissipation
P
T
(mW
)
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR6115 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| UNR6116 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| UP0.4C-4R7 | 1 ELEMENT, 4.95 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| UP0.4C-330 | 1 ELEMENT, 32.2 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| UP0.4C-1R0 | 1 ELEMENT, 1.16 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UNR521E | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type |
| UNR521E(UN521E) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:複合デバイス － 抵抗内蔵型トランジスタ |
| UNR521E00L | 功能描述:TRANS NPN W/RES 60 HFE S-MINI 3P RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 系列:- 标准包装:10,000 系列:- 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:100mA 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:50V 电阻器 - 基极 (R1)（欧）:47k 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）:47k 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大）:- 频率 - 转换:100MHz 功率 - 最大:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商设备封装:PG-SOT323-3 包装:带卷 (TR) 其它名称:SP000756242 |
| UNR521F | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type |
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