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参数资料
| 型号： | UNR521DR |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SMINI3-G1, SC-70, 3 PIN |
| 文件页数： | 16/17页 |
| 文件大小： | 552K |
| 代理商： | UNR521DR |
UNR521x Series
8
SJH00024CED
Cob VCB
IO VIN
VIN IO
Cob VCB
IO VIN
VIN IO
Characteristics charts of UNR5217
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
0
10 1
6
5
4
3
2
1
110
102
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
Collector-base voltage V
CB (V)
f
= 1 MHz
IE
= 0
Ta
= 25°C
1
0.4
10
102
103
104
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
Output
current
I
O
(
A
)
Input voltage V
IN (V)
VO
= 5 V
Ta
= 25°C
10 2
10 1
1
10
102
110
102
Input
voltage
V
IN
(V)
Output current I
O (mA)
VO
= 0.2 V
Ta
= 25°C
012
210
48
6
0
120
100
80
60
40
20
Collector
current
I
C
(mA
)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
Ta
= 25°C
IB
=1 .0 mA
0.1 mA
0.2 mA
0.3 mA
0.4 mA
0.5 mA
0.6 mA
0.7 mA
0.8 mA
0.9 mA
10 2
10 1
1
10
102
110
102
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (mA)
IC / IB
= 10
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
0
1
100
200
300
400
10
102
103
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (mA)
VCE
= 10 V
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
10 2
10 1
1
10
102
110
102
Input
voltage
V
IN
(V)
Output current I
O (mA)
VO
= 0.2 V
Ta
= 25°C
1
0.4
10
102
103
104
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
Output
current
I
O
(
A
)
Input voltage V
IN (V)
VO
= 5 V
Ta
= 25°C
0
10 1
6
5
4
3
2
1
110
102
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
Collector-base voltage V
CB (V)
f
= 1 MHz
IE
= 0
Ta
= 25°C
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
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PDF描述 |
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| UP0.4C-330 | 1 ELEMENT, 32.2 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| UP0.4C-1R0 | 1 ELEMENT, 1.16 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
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参数描述 |
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| UNR521F | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type |
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