| 型号: | UNR521DR |
| 厂商: | PANASONIC CORP |
| 元件分类: | 小信号晶体管 |
| 英文描述: | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装: | ROHS COMPLIANT, SMINI3-G1, SC-70, 3 PIN |
| 文件页数: | 12/17页 |
| 文件大小: | 552K |
| 代理商: | UNR521DR |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR6115 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| UNR6116 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| UP0.4C-4R7 | 1 ELEMENT, 4.95 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| UP0.4C-330 | 1 ELEMENT, 32.2 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| UP0.4C-1R0 | 1 ELEMENT, 1.16 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UNR521E | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type |
| UNR521E(UN521E) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:複合デバイス - 抵抗内蔵型トランジスタ |
| UNR521E00L | 功能描述:TRANS NPN W/RES 60 HFE S-MINI 3P RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 系列:- 标准包装:10,000 系列:- 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V 电阻器 - 基极 (R1)(欧):47k 电阻器 - 发射极 (R2)(欧):47k 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大):- 频率 - 转换:100MHz 功率 - 最大:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商设备封装:PG-SOT323-3 包装:带卷 (TR) 其它名称:SP000756242 |
| UNR521F | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type |